韩国抛出 5180 亿美元半导体扩产计划 三星 SK 海力士各建两座晶圆厂加码 AI 存储

6 月 29 日，韩国产业通商资源部长官金正官对外公布国家级半导体重磅扩产方案，计划投入800 万亿韩元（约 3.52 万亿元人民币、5180 亿美元），在西南区域打造全新半导体产业集群，新建四座现代化晶圆厂，由三星电子、SK 海力士两大存储龙头各承建两座，全面扩充本土芯片制造产能，抢抓全球 AI 算力芯片红利周期。

本次新建厂区产能聚焦DRAM、NAND 及配套高端存储芯片，产品定向供给 AI 服务器、高端算力硬件、智能终端市场，精准匹配 AI 产业爆发带来的存储需求缺口。业内指出，韩国首都圈平泽、龙仁现有晶圆集群水电资源已趋近饱和，西南新园区落地可破解产能扩容瓶颈，形成南北双核心产业布局格局。

除千亿级晶圆制造投资外，韩国同步落地全链条配套扶持政策。政府规划未来 15 年投放 30 万亿韩元专项研发资金，覆盖存储前沿工艺迭代、设备自研、高端技术人才培育三大方向，明确五年内实现全国 DRAM 产能翻倍的核心目标，持续巩固全球存储芯片龙头地位。配套规划显示，韩国将额外拿出 81 万亿韩元在忠清道布局 HBM 先进封装基地，补齐 AI 高带宽存储配套产能，形成 “制造 + 封装” 协同布局体系。

政策层面，韩国推出行政审批提速、税收抵扣、低息产业贷款等多重红利，大幅缩短晶圆厂建设周期，原计划 2040 年代竣工的项目整体提前十余年落地投产，加速产能投放节奏。两大企业同步披露中长期投资蓝图，三星累计规划超 2600 万亿韩元产业投入，SK 集团半导体与 AI 数据中心投资总额突破 2100 万亿韩元，形成政企协同加码芯片赛道的格局。

机构分析称，当前全球 AI 算力带动存储芯片进入超级上行周期，HBM、大容量 DRAM 供需持续紧张。韩国本次大规模扩产意在拉大存储技术与产能优势，稳固全球存储市场主导权。短期将显著改变全球存储供给预期，中长期加剧全球半导体产能竞争，倒逼各国加速本土芯片产业链建设，全球半导体产业投资竞赛或将进一步升温。

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