2026年开年以来，全球功率半导体行业掀起一轮大范围密集涨价潮。有国际功率半导体企业人士透露，近期旗下全品类产品价格上调10%，全系品类同步跟涨。

此轮涨价并非个别企业行为，行业已形成内外资联动调价格局。

· 英飞凌、德州仪器等海外龙头率先发布涨价函，国内厂商紧随跟进：

· 宏微科技对部分IGBT产品提价约10%；

· 捷捷微电MOSFET此前已上调10%—20%，本月起IGBT同样上调10%—20%；

· 新洁能自3月1日起MOSFET产品涨价起步10%

· 芯联集成也在一季度完成MOSFET价格调整。

AI数据中心成涨价核心推手 8英寸产能紧缺供需承压

此轮功率半导体涨价的核心驱动力，来自AI数据中心算力建设的爆发式需求。英飞凌在涨价函中直言，AI专用数据中心大规模部署，直接导致多款功率开关、集成电路供应紧缺。

需求端持续放量的同时，供给端同步承压。全球8英寸成熟制程产能持续收缩，叠加上游原材料、晶圆代工、封测成本全线走高，功率半导体行业陷入需求激增+成本抬升的双向挤压格局。

本轮涨价中，MOSFET率先紧缺调价，核心原因是其对8英寸晶圆产能消耗更大。单台AI服务器对高压MOSFET、电源管理MOSFET需求量大幅攀升，进一步加剧8英寸产能供需缺口。捷捷微电表示，公司南通高端功率半导体器件产业化项目已实现月产约13万片产能，意在缓解MOSFET供货紧张局面。

IGBT涨价节奏稍滞后于MOSFET，但上涨趋势已明确确立。分析师表示，海外龙头及部分国产厂商已发布调价通知，车规级硅基IGBT芯片涨幅普遍在10%—20%。公司低端IGBT产品普遍涨价10%左右，主要受上游成本上涨、下游需求回暖双重带动。另有头部功率半导体大厂确认，包含IGBT在内全系产品涨价约10%，源于市场复苏与成本上行共振。芯联集成管理层预判，后续IGBT供需平衡格局将被打破，市场将进入供不应求阶段。

值得注意的是，行业并非全员跟涨。部分国产厂商为抢占市场份额、稳定存量订单，选择自行消化成本压力，芯片及模块维持原价不变，也有厂商仍处在观望评估阶段。

三重因素叠加推升行情 行业高景气至少延续半年

MOSFET与IGBT同步涨价，背后是AI数据中心、新能源车、上游成本三重因素叠加共振。

需求层面，AI数据中心成为最大增量引擎。德州仪器2026年一季度数据显示，公司数据中心业务营收同比大增约90%；英飞凌则预计2027财年AI数据中心相关营收将达25亿欧元，2025财年该项收入已暴涨近三倍、突破7亿欧元。

业内透露，当前厂商优先向AIDC产业链倾斜供货，而AIDC产品规格与车规级芯片具备通用性，龙头企业抢占AI算力市场份额的同时，进一步挤压了车规级功率芯片供给。与此同时，新能源车、光伏储能、充电桩等领域需求持续释放，汽车电子新客户与新项目也进入集中放量周期。

供给端收缩进一步放大紧张格局。数据显示，台积电、三星持续缩减8英寸成熟制程产能，预计至2027年上半年全球8英寸产能维持负增长；2026年全球8英寸晶圆厂平均产能利用率将升至85%—90%，较2025年75%—80%明显提升。多家晶圆厂已全面上调代工价格，涨幅5%—20%；封测环节同样产能满载，部分大厂涨价幅度接近30%。

机构分析认为，原材料与封装成本高位难回落，新建产能多集中在2026年底至2027年才逐步释放，行业供需紧张格局预计持续6至12个月。企业订单与业绩也印证行业上行周期：扬杰科技预计2026年一季度归母净利润同比增长20%—40%，行业正处于上行周期初期。

英伟达800V架构落地 SiC/GaN第三代半导体迎风口

传统硅基功率半导体供需紧绷之际，以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体，迎来AI数据中心800V高压架构带来的全新增量机遇。

英伟达已将800V高压直流(HVDC)架构定为下一代AI工厂核心供电方案，英飞凌、安森美、意法半导体、德州仪器、英诺赛科等主流厂商均官宣跟进支持。传统54V机架配电仅适配千瓦级机架，当机架功率突破200千瓦后，存在空间受限、线缆过载、散热承压等痛点，800V架构成为刚需升级方向。

行家说三代半半导体研究总监张文灵表示，AIDC将成为第三代半导体下一个爆发赛道，需求确定性强、增长空间广阔。二者在800V架构中分工清晰：配电端逐步以固态变压器替代传统工频变压器，主打碳化硅方案，单台设备SiC器件用量可达数百颗；机柜内部板载电源依赖氮化镓提升效率与功率密度，兆瓦级DC-DC模块GaN用量超千颗。

AIDC场景对能效、功率密度要求严苛，且对成本敏感度较低，为SiC、GaN打开高附加值市场，也缓解了其在新能源车、消费电子领域的盈利与价格压力。不过目前第三代半导体在AIDC仍处导入初期，当前最大应用市场仍以车规领域为主；叠加800V架构普及受制于电网升级，整体渗透节奏相对平缓，且SiC器件本轮涨幅显著低于硅基IGBT。

国产厂商实力崛起 全球排位提升海内外密集扩产

随着需求方向明确，国内功率半导体企业技术与产能实力已具备承接红利的能力。Omdia数据显示，2025年英飞凌、安森美、意法半导体、三菱电机稳居全球前四，士兰微首次跻身全球前五，标志国产厂商全球话语权持续提升，第三代半导体更成为弯道超车关键抓手。

业内确认，国内SiC、GaN厂商技术已具备AI场景落地实力：

· 通用算力服务器电源已批量导入国产碳化硅二极管，头部企业SiC MOSFET已切入数据中心电源、固态变压器合作链条；

· 氮化镓头部厂商技术对标国际一线，已进入英伟达、浪潮等核心供应链。

细分领域国产龙头亮点凸显：

· 天岳先进2025年碳化硅衬底全球市占率登顶，打破海外长期垄断，8英寸产品全球市占率超50%；

· 英诺赛科作为英伟达800V体系唯一国内本土企业，已批量供货谷歌，8英寸氮化镓晶圆月产能由1.3万片提升至2万片；

· 比亚迪半导体推出全球首款可批量装车的1500V高耐压大功率碳化硅芯片。

供需景气与赛道红利下，海内外巨头同步大手笔扩产。

海外方面，

· 英飞凌投资50亿欧元德累斯顿功率工厂2026年夏投产；

· 意法半导体斥资50亿欧元布局意大利8英寸碳化硅产线，2026年量产；

· 安森美投入20亿美元在捷克新建碳化硅工厂。

国内扩产节奏同样提速：

· 时代电气株洲碳化硅三期产线2025年底正式投产；

· 芯联集成加速推进12英寸碳化硅扩产；

· 扬杰科技越南车规级6英寸晶圆工厂开工，年产能240万片，预计2027年一季度量产；· 

· 株洲中车8英寸碳化硅晶圆线落地，总投资53亿元，年增产能36万片；

· 斯达半导15亿元可转债获批，加码车规级SiC、GaN模块产能建设。

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